类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | -60.0 V |
额定电流 | -8.80 A |
封装 | TO-252-3 |
额定功率 | 42 W |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.28 Ω |
极性 | P-Channel |
功耗 | 2.5 W |
阈值电压 | 4 V |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
漏源击穿电压 | -60.0 V |
连续漏极电流(Ids) | -8.80 A |
上升时间 | 68 ns |
输入电容值(Ciss) | 570pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 2.5 W |
下降时间 | 29 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
耗散功率(Max) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最小包装数量 | 2000 |
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International Rectifier(国际整流器)
Fairchild(飞兆/仙童)
P沟道增强型场效应晶体管 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
IRF
功率MOSFET ( VDSS = -60V , RDS(ON) = 0.28ohm ,ID = -8.8A ) Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-8.8A)
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