| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -580 mA |
| 封装 | SOT-323-3 |
| 功耗 | 520mW (Ta) |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 89.9pF @15V(Vds) |
| 下降时间 | 4.6 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 520mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.58A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.369Ω @-580mA,-4.5V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.6--1.2V 耗散功率PdPower Dissipation| 520mW/0.52W Description & Applications| • P-Channel • Enhancement mode • Super Logic Level (2.5 V rated) • 150°C operating temperature • Avalanche rated • dv/dt rated 描述与应用| •P沟道 •增强模式 •超级逻辑电平（2.5 V额定） •150°C工作温度 •额定雪崩 •dv / dt的额定
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Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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的OptiMOS -P小信号三极管 OptiMOS-P Small-Signal-Transistor
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