BSS223PWH6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:	Infineon（英飞凌）
分类:	MOS管
封装:	SOT-323-3
描述:	Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFETInfineon OptiMOS™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。增强型模式雪崩等级低切换和传导功率损耗无铅引线电镀；符合 RoHS 标准标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C
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BSS223PWH6327XTSA1 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	3 Pin
封装	SOT-323-3
额定功率	0.25 W
通道数	1 Channel
针脚数	3 Position
漏源极电阻	0.7 Ω
极性	P-Channel
功耗	250 mW
阈值电压	600 mV
漏源极电压(Vds)	20 V
连续漏极电流(Ids)	0.39A
上升时间	5 ns
输入电容值(Ciss)	56pF @15V(Vds)
额定功率(Max)	250 mW
下降时间	3.2 ns
工作温度(Max)	150 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	250 mW

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BSS223PWH6327XTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
高度	0.8 mm
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BSS223PWH6327XTSA1 符合标准

BSS223PWH6327XTSA1 概述

BSS223PWH6327XTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

8 页 / 0.13 MByte

BSS223PWH6327XTSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

864 页 / 9.84 MByte

BSS223PWH6327XTSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSS223PWH6327XTSA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

BSS223PWH6327XTSA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.11 MByte

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20V,-0.39A,P沟道功率MOSFET

BSS223PWH6327XTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。增强型模式雪崩等级低切换和传导功率损耗无铅引线电镀；符合 RoHS 标准标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C

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