| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 300 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0062 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 300 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 150 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 100A |
| 上升时间 | 35 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 5470pF @75V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 W |
| 下降时间 | 14 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 300W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
IPP075N15N3 G是一款150V N沟道功率MOSFET, RDS (导通)降低了40％, 品质因数 (FOM)降低了45％。OptiMOS™ MOSFET具有很高的系统效率和业界最低的RDS (导通)。非常适合高频开关应用和DC-DC转换器应用。
●IPP075N15N3 G, SP000680832
● 优秀的开关性能
● 环保型
● 高效能
● 高功率密度
● 需要较少的并联
● 占用极小的电路板空间
● 易于设计
Infineon（英飞凌）
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INFINEON IPP075N15N3GXKSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 150 V, 6.2 mohm, 10 V, 3 V
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INFINEON IPP075N15N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 150 V, 6.2 mohm, 10 V, 3 V
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OptiMOS®3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
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