| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -390 mA |
| 封装 | SOT-323 |
| 极性 | P-CH |
| 输入电容 | 56.0 pF |
| 栅电荷 | 620 pC |
| 漏源极电压(Vds) | 20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 390 mA |
| 上升时间 | 5.00 ns |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C
Infineon（英飞凌）
的OptiMOS -P小信号三极管 OptiMOS -P Small-Signal-Transistor
Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) BSS223PWL6327 SOT-323-3
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