| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-323-3 |
| 功耗 | 250mW (Ta) |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 56pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 250 mW |
| 下降时间 | 3.2 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 250mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 P 通道 20 V 390mA（Ta） 250mW（Ta） PG-SOT323-3
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Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C
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的OptiMOS -P小信号三极管 OptiMOS -P Small-Signal-Transistor
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场效应管(MOSFET) BSS223PWL6327 SOT-323-3
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