类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | SOT-23-3 |
额定功率 | 0.5 W |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.044 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 500 mW |
阈值电压 | 1.6 V |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 2.3A |
上升时间 | 2.3 ns |
输入电容值(Ciss) | 207pF @15V(Vds) |
下降时间 | 1.4 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 500 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 2.9 mm |
宽度 | 1.3 mm |
高度 | 1 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列
●Infineon
● OptiMOS™2
● N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。
●OptiMOS 2
● 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。
Infineon(英飞凌)
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30V,57mΩ,2.3A,N沟道小信号MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON BSS306N H6327 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, SOT-23
Infineon(英飞凌)
INFINEON BSS306NH6327XTSA1 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, SOT-23
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Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用,包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围,且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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