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IPB025N10N3GATMA1

来自 AiPCBA

IPB025N10N3GATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:	Infineon（英飞凌）
分类:	MOS管
封装:	TO-263-7
描述:	INFINEON IPB025N10N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.002 ohm, 10 V, 2.7 V
PDF文件:	IPB025N10N3GATMA1 数据手册 (9 页)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

IPB025N10N3GATMA1 数据手册 (9 页)

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IPB025N10N3GATMA1 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	7 Pin
封装	TO-263-7
额定功率	300 W
针脚数	7 Position
漏源极电阻	0.002 Ω
极性	N-Channel
功耗	300 W
阈值电压	2.7 V
漏源极电压(Vds)	100 V
连续漏极电流(Ids)	180A
上升时间	58 ns
输入电容值(Ciss)	11100pF @50V(Vds)
下降时间	28 ns
工作温度(Max)	175 ℃
工作温度(Min)	-55 ℃
耗散功率(Max)	300000 mW

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IPB025N10N3GATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	10 mm
宽度	9.25 mm
高度	4.4 mm
工作温度	-55℃ ~ 175℃

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IPB025N10N3GATMA1 符合标准

IPB025N10N3GATMA1 概述

IPB025N10N3GATMA1 数据手册

IPB025N10N3GATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.64 MByte

IPB025N10N3GATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPB025N10N3GATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

34 页 / 2.17 MByte

IPB025N10N3GATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPB025N10N3 数据手册

IPB025N10N3GATMA1 数据手册

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INFINEON IPB025N10N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.002 ohm, 10 V, 2.7 V

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INFINEON IPB025N10N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.002 ohm, 10 V, 2.7 V

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