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BSS670S2LH6433XTMA1
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BSS670S2LH6433XTMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:SOT-23-3
描述:场效应管(MOSFET) BSS670S2LH6433XTMA1 -
PDF文件:BSS670S2LH6433XTMA1 数据手册 (8 页)
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BSS670S2LH6433XTMA1 数据手册 (8 页)
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BSS670S2LH6433XTMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23-3
极性N-CH
功耗0.36 W
漏源极电压(Vds)55 V
连续漏极电流(Ids)0.54A
上升时间25 ns
输入电容值(Ciss)56pF @25V(Vds)
下降时间24 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)360 mW
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BSS670S2LH6433XTMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2.9 mm
宽度1.3 mm
高度1.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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BSS670S2LH6433XTMA1 数据手册

BSS670S2LH6433XTMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
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BSS670S2LH6433 数据手册

BSS670S2LH6433XTMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) BSS670S2LH6433XTMA1 -
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