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BSZ068N06NS
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BSZ068N06NS 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TSDSON-8
描述:60V,6.8mΩ,40A,N沟道功率MOSFET
PDF文件:BSZ068N06NS 数据手册 (9 页)
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焊盘图
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产品图
BSZ068N06NS 数据手册 (9 页)
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BSZ068N06NS 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数8 Pin
封装TSDSON-8
极性N-CH
功耗2.1 W
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)40A
上升时间3 ns
输入电容值(Ciss)1200pF @30V(Vds)
下降时间3 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2100 mW
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BSZ068N06NS 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.3 mm
高度1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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BSZ068N06NS 数据手册

BSZ068N06NS 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.67 MByte
BSZ068N06NS 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSZ068N06NS 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
BSZ068N06NS 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

BSZ068N06 数据手册

BSZ068N06NSATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 0.0056 ohm, 10 V, 2.8 V
BSZ068N06NS 数据手册
Infineon（英飞凌）
60V,6.8mΩ,40A,N沟道功率MOSFET
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