| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | SOT-23-3 |
| 额定功率 | 0.5 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 280 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 500 mW |
| 阈值电压 | 2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.021A |
| 上升时间 | 9.7 ns |
| 正向电压(Max) | 1.2 V |
| 输入电容值(Ciss) | 28pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 500 mW |
| 下降时间 | 115 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2.9 mm |
| 宽度 | 1.3 mm |
| 高度 | 1.1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET
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Infineon（英飞凌）
INFINEON BSS126 H6327 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 mA, 600 V, 280 ohm, 10 V, -2 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSS126H6327XTSA2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 mA, 600 V, 280 ohm, 10 V, -2 V
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