| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | PG-TSDSON-8-FL |
| 额定功率 | 46 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 5.6 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 46 W |
| 阈值电压 | 2.1 V |
| 输入电容 | 1200 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 40A |
| 上升时间 | 3 ns |
| 反向恢复时间 | 23 ns |
| 正向电压(Max) | 1 V |
| 输入电容值(Ciss) | 1500pF @30V(Vds) |
| 下降时间 | 3 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.1W (Ta), 46W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.3 mm |
| 宽度 | 3.3 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 40A（Tc） 2.1W（Ta），46W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
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晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 0.0056 ohm, 10 V, 2.8 V
Infineon（英飞凌）
60V,6.8mΩ,40A,N沟道功率MOSFET
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