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IRFH8201TRPBF
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IRFH8201TRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PQFN-8
描述:INFINEON  IRFH8201TRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 25V, 100A, PQFN-8
PDF文件:IRFH8201TRPBF 数据手册 (9 页)封装尺寸在7 页
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焊盘图
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IRFH8201TRPBF 数据手册 (9 页)
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IRFH8201TRPBF 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PQFN-8
额定功率156 W
通道数1 Channel
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0008 Ω
极性N-Channel
功耗156 W
阈值电压1.8 V
漏源极电压(Vds)25 V
连续漏极电流(Ids)49A
上升时间54 ns
输入电容值(Ciss)7330pF @13V(Vds)
下降时间22 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3.6W (Ta), 156W (Tc)
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IRFH8201TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6 mm
宽度5 mm
高度0.83 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IRFH8201TRPBF 数据手册

IRFH8201TRPBF 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.49 MByte
IRFH8201TRPBF 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IRFH8201TRPBF 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
6 页 / 3.97 MByte
IRFH8201TRPBF 产品设计图
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
IRFH8201TRPBF 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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