| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | TSDSON-8 |
| 额定功率 | 52 W |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0065 Ω |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 69 W |
| 阈值电压 | 2.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 13.5A |
| 上升时间 | 46 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3190pF @15V(Vds) |
| 下降时间 | 8 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 69 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.4 mm |
| 宽度 | 3.4 mm |
| 高度 | 1.1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET
●Infineon
●OptiMOS
●™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。
●增强型模式
●雪崩等级
●低切换和传导功率损耗
●无铅引线电镀；符合 RoHS 标准
●标准封装
●OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.42 MByte
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270 页 / 11.59 MByte
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37 页 / 2.01 MByte
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INFINEON BSZ086P03NS3EGATMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -40 A, -30 V, 0.0065 ohm, -10 V, -2.5 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSZ086P03NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, BRT, P沟道, -40 A, -30 V, 0.0065 ohm, -10 V, -2.5 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSZ086P03NS3E G 晶体管, MOSFET, P沟道, -40 A, -30 V, 0.0065 ohm, -10 V, -2.5 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSZ086P03NS3 G 晶体管, MOSFET, BRT, P沟道, -40 A, -30 V, 0.0065 ohm, -10 V, -2.5 V
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Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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