| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | PICOSTAR-3 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 1.4 W |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 5.9A |
| 上升时间 | 4 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 380pF @15V(Vds) |
| 下降时间 | 11 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
这种 30V、22mΩ、N 沟道 FemtoFETMOSFET 技术经过了设计和优化，能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的 封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
●RθJA = 245°C/W（覆铜面积最小时的典型值）。RθJA = 90°C/W（覆铜面积最大时的典型值）。脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
● 低导通电阻
● 超低 Qg 和 Qgd
● 超小尺寸
● 1.53mm x 0.77mm
● 薄型
● 高度为 0.35mm
● 集成静电放电 (ESD) 保护二极管
● 额定值 > 4kV 人体模型 (HBM)
● 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)
● 无铅且无卤素
● 符合 RoHS 环保标准
●## 应用范围
● 针对负载开关应用进行了 优化
● 针对通用开关应用进行了 优化
●All trademarks are the property of their respective owners.
TI（德州仪器）
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CSD17585F5 30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET
TI（德州仪器）
30V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.8x1.5、33mΩ 3-PICOSTAR -55 to 150
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