| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | PG-TSDSON-8-FL |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 8 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0022 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 48 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 19A |
| 上升时间 | 5.2 nS |
| 输入电容值(Ciss) | 1700pF @15V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 2.1 W |
| 下降时间 | 3.6 nS |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.1W (Ta), 48W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.3 mm |
| 宽度 | 3.4 mm |
| 高度 | 1.1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列
●OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
●N 通道 - 增强模式
●符合汽车 AEC Q101 规格
●MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
●175°C 工作温度
●绿色封装（无铅）
●超低 Rds(on)
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9 页 / 0.68 MByte
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270 页 / 11.59 MByte
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30 页 / 0.64 MByte
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37 页 / 2.01 MByte
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INFINEON BSZ0902NSATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 2 V
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INFINEON BSZ0902NSI 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON BSZ0902NSIATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0023 ohm, 10 V, 2 V
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INFINEON BSZ0902NS 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 2 V
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