类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 40.0 V |
额定电流 | 200 mA |
封装 | SOT-23-3 |
极性 | NPN |
功耗 | 350 mW |
击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
集电极最大允许电流 | 0.2A |
最小电流放大倍数 | 100 @10mA, 1V |
额定功率(Max) | 350 mW |
直流电流增益(hFE) | 30 |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Unknown |
包装方式 | Tape |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 200mA/0.2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 300Mhz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 30~300 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV~300mV 耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| This device is designed as a general purpose amplifier and switch. The useful dynamic range extends to 100 mA as a switch and to 100 MHz as an amplifier. 描述与应用| 这个装置是专为通用放大器和开关。 有用的动态范围扩展到100毫安作为开关 作为一个放大器100兆赫。
Fairchild(飞兆/仙童)
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Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBT3904 单晶体管 双极, 通用, NPN, 40 V, 300 MHz, 350 mW, 200 mA, 300 hFE
ON Semiconductor(安森美)
通用放大器晶体管表面贴装 GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSISTORS SURFACE MOUNT
ST Microelectronics(意法半导体)
小信号NPN晶体管 SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR
NXP(恩智浦)
NPN开关晶体管 NPN switching transistor
Rectron
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SOT23 NPN 0.2A 40V G enPur
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 0.2A NPN transistor
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