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BSZ097N10NS5
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BSZ097N10NS5 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PG-TSDSON-8-FL
描述:N沟道 100V 40A
PDF文件:BSZ097N10NS5 数据手册 (12 页)
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焊盘图
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BSZ097N10NS5 数据手册 (12 页)
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BSZ097N10NS5 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数8 Pin
封装PG-TSDSON-8-FL
漏源极电阻9.7 mΩ
极性N-CH
功耗2.1 W
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)40A
上升时间5 ns
输入电容值(Ciss)1600pF @50V(Vds)
下降时间5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2100 mW
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BSZ097N10NS5 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.3 mm
高度1.10 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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BSZ097N10NS5 数据手册

BSZ097N10NS5 数据手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 1.39 MByte
BSZ097N10NS5 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
BSZ097N10NS5 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
BSZ097N10NS5 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

BSZ097N10 数据手册

BSZ097N10NS5ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.0083 ohm, 10 V, 3 V
BSZ097N10NS5 数据手册
Infineon（英飞凌）
N沟道 100V 40A
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