类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-247-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 45 mΩ |
极性 | N-CH |
功耗 | 350 W |
阈值电压 | 2 V |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
漏源击穿电压 | 600 V |
连续漏极电流(Ids) | 52A |
上升时间 | 26.5 ns |
输入电容值(Ciss) | 3750pF @100V(Vds) |
下降时间 | 14 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 350W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 15.75 mm |
宽度 | 5.15 mm |
高度 | 20.15 mm |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics
●STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。
ST Microelectronics(意法半导体)
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STMICROELECTRONICS STW56N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 50 A, 600 V, 0.052 ohm, 10 V, 4 V 新
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源(LLC 转换器)。 其配置具有低栅极电荷,以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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