类型 | 描述 |
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封装 | TOP-3 |
极性 | NPN |
击穿电压(集电极-发射极) | 800 V |
集电极最大允许电流 | 12A |
NXP(恩智浦)
硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power Transistor
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