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BU921T
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BU921T 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
封装:TO-220
描述:高电压功率耗散 HIGH VOLTAGE POWER DISSIPATION
PDF文件:BU921T 数据手册 (5 页)
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焊盘图
引脚图
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BU921T 数据手册 (5 页)
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BU921T 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220
极性NPN
功耗105000 mW
击穿电压(集电极-发射极)400 V
集电极最大允许电流10A
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)105000 mW
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BU921T 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
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BU921T 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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