| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-247-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 600 mΩ |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 190 W |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 12.0 A |
| 上升时间 | 35 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | 65 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 长度 | 15.75 mm |
| 宽度 | 5.15 mm |
| 高度 | 20.15 mm |
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STW12NK90Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STW12NK95Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 950 V, 0.69 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STW12NK80Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10.5 A, 800 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
1200V,12A,690mΩ,N沟道功率MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STW120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 9 mohm, 10 V, 4 V
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N沟道600V - 0.35ヘ - 10A - D2 / I2PAK - TO- 220 / FP - TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600V - 0.35ヘ - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道增强模式快速功率MOS晶体管 N-Channel enhancement mode fast power mos transistor
ST Microelectronics（意法半导体）
N - 沟道增强模式快速功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
ST Microelectronics（意法半导体）
晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 1.7 kV, 2.3 ohm, 10 V, 4 V
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