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BUB323ZT4G
来自 AiPCBA

BUB323ZT4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-263-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  BUB323ZT4G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 350 V, 2 MHz, 150 W, 10 A, 500 hFE
PDF文件:BUB323ZT4G 数据手册 (8 页)封装尺寸在7 页
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BUB323ZT4G 数据手册 (8 页)
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BUB323ZT4G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)350 V
额定电流10.0 A
封装TO-263-3
无卤素状态Halogen Free
针脚数3 Position
极性NPN
功耗150 W
输入电容550 pF
击穿电压(集电极-发射极)350 V
集电极最大允许电流10A
最小电流放大倍数500 @5A, 4.6V
最大电流放大倍数3400
额定功率(Max)150 W
直流电流增益(hFE)500
下降时间625 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)150000 mW
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BUB323ZT4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-65℃ ~ 175℃ (TJ)
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BUB323ZT4G 数据手册

BUB323ZT4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
8 页 / 0.07 MByte
BUB323ZT4G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.14 MByte
BUB323ZT4G 产品设计图
ON Semiconductor（安森美）
3 页 / 0.03 MByte

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ON SEMICONDUCTOR  BUB323ZT4G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 350 V, 2 MHz, 150 W, 10 A, 500 hFE
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