| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 额定功率 | 210 W |
| 功耗 | 210 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 1200 V |
| 额定功率(Max) | 210 W |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 210 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 15.87 mm |
| 宽度 | 5.31 mm |
| 高度 | 20.7 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
单 IGBT 超过 21A，Infineon
●优化的 IGBT 设计用于中频应用，具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能，带 IGBT
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.36 MByte
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.36 MByte
Infineon（英飞凌）
22 页 / 0.35 MByte
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.17 MByte
Infineon（英飞凌）
3 页 / 0.05 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRG7PH35UDPBF 单晶体管, IGBT, 50 A, 1.9 V, 180 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRG7PH35UD-EP 单晶体管, IGBT, N通道, 50 A, 2.3 V, 180 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 引脚 新
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRG7PH35UD1PBF 单晶体管, IGBT, 50 A, 1.9 V, 179 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚
Infineon（英飞凌）
IGBT 晶体管 1200V UltraFast Discrete IGBT
Infineon（英飞凌）
IGBT 超过 21A，Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用，具有快速响应且为用户提供最大效率。 利用经优化的 FRED 二极管可提供最佳性能，带 IGBT### IGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier IRG7PH35UD1PBF, N沟道 IGBT 晶体管, 50 A, Vce=1200 V, 3针 TO-247AC封装
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
International Rectifier（国际整流器）
Infineon（英飞凌）
INFINEON IRG7PH35UD1-EP 晶体管, IGBT, 1200V, 50A
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
