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BUV20
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BUV20 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:双极性晶体管
封装:TO-3
描述:STMICROELECTRONICS  BUV20  单晶体管 双极, 通用, NPN, 125 V, 8 MHz, 250 W, 50 A, 60 hFE
PDF文件:BUV20 数据手册 (4 页)原理图在1 页
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BUV20 数据手册 (4 页)
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BUV20 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数2 Pin
额定电压(DC)125 V
额定电流50.0 A
封装TO-3
额定功率250 W
针脚数2 Position
极性NPN
功耗250 W
击穿电压(集电极-发射极)125 V
最小电流放大倍数20 @25A, 2V
最大电流放大倍数60
额定功率(Max)250 W
直流电流增益(hFE)60
工作温度(Max)200 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)250 mW
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BUV20 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tube
材质Silicon
长度39.5 mm
宽度26.2 mm
高度8.7 mm
工作温度200℃ (TJ)
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BUV20 数据手册

BUV20 数据手册
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