| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 60.0 V |
| 额定电流 | 16.0 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.07 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 45 W |
| 阈值电压 | 1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60.0 V |
| 栅源击穿电压 | ±16.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 16.0 A |
| 上升时间 | 37 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 345pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 45 W |
| 下降时间 | 12.5 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 45W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.75 mm |
| 宽度 | 10.4 mm |
| 高度 | 4.6 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
13 页 / 0.39 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
14 页 / 0.37 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
10 页 / 0.75 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
1 页 / 0.12 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB16NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道60V - 0.07欧姆 - 16A D2PAK STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.07 ohm - 16A D2PAK STripFET⑩ POWER MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道60V - 0.07Ω - 16A - D2PAK的STripFET ™功率MOSFET N-channel 60V - 0.07Ω - 16A - D2PAK STripFET™ Power MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
