类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
频率 | 8 MHz |
引脚数 | 2 Pin |
额定电压(DC) | 200 V |
额定电流 | 40.0 A |
封装 | TO-204-2 |
针脚数 | 2 Position |
极性 | NPN |
功耗 | 250 W |
击穿电压(集电极-发射极) | 200 V |
集电极最大允许电流 | 40A |
最小电流放大倍数 | 20 @12A, 2V |
额定功率(Max) | 250 W |
直流电流增益(hFE) | 10 |
工作温度(Max) | 200 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 250000 mW |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tray |
材质 | Silicon |
长度 | 38.86 mm |
宽度 | 26.67 mm |
高度 | 8.51 mm |
工作温度 | -65℃ ~ 200℃ (TJ) |
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 200 V 40 A 8MHz 250 W 通孔 TO-204(TO-3)
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SITCHMODE系列NPN硅功率晶体管 SITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor
ST Microelectronics(意法半导体)
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ON SEMICONDUCTOR BUV21G 单晶体管 双极, NPN, 200 V, 8 MHz, 250 W, 40 A, 10 hFE 新
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SWITCHMODE系列NPN硅功率晶体管 SWITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor
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