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BUV27G
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BUV27G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:双极性晶体管
封装:TO-220-3
描述:NPN硅功率晶体管 NPN Silicon Power Transistor
PDF文件:BUV27G 数据手册 (4 页)封装尺寸在4 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
BUV27G 数据手册 (4 页)
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BUV27G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)120 V
额定电流12.0 A
封装TO-220-3
针脚数3 Position
极性NPN
功耗70 W
击穿电压(集电极-发射极)120 V
集电极最大允许电流12A
额定功率(Max)70 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-65 ℃
耗散功率(Max)70000 mW
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BUV27G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
材质Silicon
长度10.53 mm
宽度4.83 mm
高度15.75 mm
工作温度-65℃ ~ 150℃ (TJ)
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BUV27G 数据手册

BUV27G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
4 页 / 0.04 MByte
BUV27G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
15 页 / 0.72 MByte
BUV27G 产品设计图
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.02 MByte
BUV27G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
5 页 / 0.15 MByte

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