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BUZ11_NR4941
来自 AiPCBA

BUZ11_NR4941 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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BUZ11_NR4941 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
额定功率75 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.03 Ω
极性N-Channel
功耗75 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)50 V
连续漏极电流(Ids)30A
上升时间70 ns
输入电容值(Ciss)2000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)75 W
下降时间130 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)75W (Tc)
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BUZ11_NR4941 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.67 mm
宽度4.83 mm
高度16.51 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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BUZ11_NR4941 数据手册

BUZ11_NR4941 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
6 页 / 0.8 MByte
BUZ11_NR4941 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
20 页 / 2.6 MByte
BUZ11_NR4941 产品设计图
Fairchild（飞兆/仙童）
1 页 / 0.09 MByte
BUZ11_NR4941 产品修订记录
Fairchild（飞兆/仙童）
2 页 / 0.55 MByte
BUZ11_NR4941 产品手册
Fairchild（飞兆/仙童）
214 页 / 3.88 MByte

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