| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 48 Pin |
| 电源电压 | 2.70V (min) |
| 额定电压(DC) | 3.00 V |
| 封装 | TSOP-48 |
| 供电电流 | 20 mA |
| 针脚数 | 48 Position |
| 位数 | 8 Bit |
| 存取时间 | 12 µs |
| 内存容量 | 32000000 B |
| 存取时间(Max) | 12000 ns |
| 工作温度(Max) | 85 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 电源电压 | 2.7V ~ 3.6V |
| 电源电压(Max) | 3.6 V |
| 电源电压(Min) | 2.7 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tray |
| 工作温度 | -40℃ ~ 85℃ |
Micron（镁光）
56 页 / 0.92 MByte
Micron（镁光）
60 页 / 1.1 MByte
Micron（镁光）
3 页 / 0.22 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
Micron（镁光）
MICRON NAND256W3A2BN6E 闪存, 与非, 256 Mbit, 32K x 8位, TSOP, 48 引脚
ST Microelectronics（意法半导体）
128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
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