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BZD27C51P-GS08
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BZD27C51P-GS08 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:Vishay Semiconductor（威世）
分类:齐纳二极管
封装:DO-219AB
描述:BZD27C51P-GS08 稳压二极管 51V 800mW/0.8W SOD123/1206-51V marking/标记 T1 低漏电流/优良的稳定性
PDF文件:BZD27C51P-GS08 数据手册 (9 页)封装尺寸在5 页
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BZD27C51P-GS08 数据手册 (9 页)
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BZD27C51P-GS08 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数2 Pin
封装DO-219AB
击穿电压60.0 V
功耗800 mW
测试电流10 mA
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
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BZD27C51P-GS08 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度2.9 mm
宽度1.9 mm
高度0.98 mm
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BZD27C51P-GS08 数据手册

BZD27C51P-GS08 数据手册
Vishay Semiconductor（威世）
9 页 / 0.14 MByte
BZD27C51P-GS08 其他数据使用手册
Vishay Semiconductor（威世）
9 页 / 0.14 MByte
BZD27C51P-GS08 产品手册
Vishay Semiconductor（威世）
7 页 / 0.23 MByte

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