| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 2 Pin |
| 封装 | DO-219AB |
| 击穿电压 | 60.0 V |
| 功耗 | 800 mW |
| 测试电流 | 10 mA |
| 稳压值 | 51 V |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
额定齐纳电压Vz(V)Zener Voltage 最小min.| 48V \---|--- 平均Typ.| 51V 最大max.| 54V 误差Tolerance| 5% 最大齐纳阻抗Zz(Ω)Dynamic Impedance| 25Ω/ohm 最大反向漏电流IR(uA)Reverse Current | 1uA 最大耗散功率PdPower dissipation| 800mW/0.8W Description & Applications| • Sillicon Planar Zener Diodes • Low profile surface-mount package • Zener and surge current specification • Low leakage current • Excellent stability • High temperature soldering: 260 °C/10 sec. at terminals • Zener Diodes with Surge Current Specification 描述与应用| •酸化镍硅平面齐纳二极管 •低漏电流 •优良的稳定性 •高温焊接：260°C/10秒。在终端 •齐纳二极管的浪涌电流规格
VISHAY（威世）
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Vishay Semiconductor（威世）
BZD27C51P-GS08 稳压二极管 51V 800mW/0.8W SOD123/1206-51V marking/标记 T1 低漏电流/优良的稳定性
Vishay Semiconductor（威世）
稳压二极管 ZENER DIODE SMF DO219-HE3
Taiwan Semiconductor（台湾半导体）
VISHAY（威世）
齐纳二极管与浪涌电流规格 Zener Diodes with Surge Current Specification
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