| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 2 Pin |
| 封装 | SOD-80 |
| 功耗 | 0.5 W |
| 测试电流 | 5 mA |
| 稳压值 | 2.7 V |
| 正向电压(Max) | 1.5V @200mA |
| 额定功率(Max) | 500 mW |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -65℃ ~ 175℃ |
| 最小包装数量 | 2500 |
额定齐纳电压Vz(V)Zener Voltage 最小min.| 2.5V
●\---|---
●平均Typ.| 2.7V
●最大max.| 2.9V
●误差Tolerance| 5%
●最大齐纳阻抗Zz(Ω)Dynamic Impedance| 85Ω/ohm
●最大反向漏电流IR(uA)Reverse Current | 10uA
●最大耗散功率PdPower dissipation| 500mW/0.5W
●Description & Applications| • Very sharp reverse characteristic • Low reverse current level • Available with tighter tolerances • Very high stability • Low noise • Small Signal Zener Diodes • Voltage stabilization
●描述与应用| •非常尖锐的反向特性 •低反向电流水平 •可提供更严格的公差 •非常高的稳定性 •低噪音 •小信号二极管 •电压稳定
VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
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VISHAY（威世）
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Taiwan Semiconductor（台湾半导体）
500mW，BZT55C 系列，Taiwan Semiconductor小信号 500mW 密封玻璃齐纳二极管 电压容差为 5% 表面安装外壳：QUADRO 微型 MELF (JEDEC DO-213) ### 齐纳二极管，Taiwan Semiconductor
Multicomp
MULTICOMP BZT55C2V7 单管二极管 齐纳, BZT55C系列, 2.7 V, 500 mW, MiniMELF, 2 引脚, 200 °C
VISHAY（威世）
•非常尖锐的反向特性•低反向电流水平•可提供更严格的公差•非常高的稳定性•低噪音•小信号二极管•电压稳定
Taiwan Semiconductor（台湾半导体）
500mW，BZT55C 系列，Taiwan Semiconductor小信号 500mW 密封玻璃齐纳二极管 电压容差为 5% 表面安装外壳：QUADRO 微型 MELF (JEDEC DO-213) ### 齐纳二极管，Taiwan Semiconductor
Taiwan Semiconductor（台湾半导体）
单管二极管 齐纳, 2.7 V, 500 mW, SOD-80 (迷你MELF), 5 %, 2 引脚, 175 °C
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