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CL21B104KCFWPNE 数据手册 (84 页)
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CL21B104KCFWPNE 技术参数、封装参数

CL21B104KCFWPNE 外形尺寸、物理参数、其它

CL21B104KCFWPNE 数据手册

Samsung(三星)
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CL21B104 数据手册

Samsung(三星)
Samsung 0805 X7R/Y5V MLCC series reels### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 (NiSn) 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。
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0805 0.1 uF ±10 % 容差 50 V X7R 多层陶瓷电容
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0.1uF 5% 50V X7R SMD 0805 多层陶瓷电容
Samsung(三星)
CL21 系列 0.1 uF 100 V ±10 % 容差 X7R 表面贴装 多层陶瓷电容
Samsung(三星)
Samsung 0805 X7R/Y5V MLCC series reels### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 (NiSn) 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。
Samsung(三星)
CL21 系列 0.1uF 100 V ±10 % 容差 X7R 表面贴装 多层陶瓷电容
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MLCC-多层陶瓷电容器
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0805 50 V x7r 20 % 0.1 µF 陶瓷电容
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100nF(104) ±10% 100V 编带
Samsung(三星)
Samsung 0805 X7R/Y5V MLCC series reels### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 (NiSn) 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。
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