| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | DSBGA-4 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 1.8W (Ta) |
| 漏源极电压(Vds) | 12 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.6A |
| 上升时间 | 7 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 862pF @6V(Vds) |
| 下降时间 | 7 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1.8W (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
这款 14.6mΩ、12V N 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1mm × 1mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
● 超低导通电阻
● 低 Qg 和 Qgd
● 1mm x 1mm 小尺寸封装
● 低高度（高度为 0.62mm）
● 无铅
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
●## 应用范围
● 电池管理
● 负载开关
● 电池保护
●All trademarks are the property of their respective owners.
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CSD13302W 12V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
TI（德州仪器）
12V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、WLP 1.0x1.0、17.1mΩ 4-DSBGA -55 to 150
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