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IXGN200N60B3
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IXGN200N60B3 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:IXYS Semiconductor
分类:IGBT晶体管
封装:SOT-227-4
描述:IXGN 系列 600 Vce 300 A 44 ns t(on) 中速 IGBT - SOT-227B
PDF文件:IXGN200N60B3 数据手册 (4 页)
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焊盘图
引脚图
产品图
IXGN200N60B3 数据手册 (4 页)
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IXGN200N60B3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Screw
引脚数4 Pin
封装SOT-227-4
额定功率830 W
针脚数4 Position
功耗830 W
击穿电压(集电极-发射极)600 V
输入电容值(Cies)26nF @25V
额定功率(Max)830 W
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)830000 mW
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IXGN200N60B3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Bulk
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IXGN200N60B3 数据手册

IXGN200N60B3 数据手册
IXYS Semiconductor
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