类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 6 Pin |
封装 | DSBGA-6 |
极性 | N-CH |
功耗 | 1.9 W |
漏源极电压(Vds) | 12 V |
连续漏极电流(Ids) | 3.5A |
上升时间 | 11 ns |
输入电容值(Ciss) | 1370pF @6V(Vds) |
下降时间 | 8 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 1.9W (Ta) |
类型 | 描述 |
---|
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 1.5 mm |
宽度 | 1 mm |
高度 | 0.62 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
这款 8.8mΩ、12V N 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.5 mm × 1mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
● 超低导通电阻
● 低 Qg 和 Qgd
● 1mm x 1.5mm 小尺寸封装
● 低高度(高度为 0.62mm)
● 无铅
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
●## 应用范围
● 电池管理
● 负载开关
● 电池保护
●All trademarks are the property of their respective owners.
TI(德州仪器)
12 页 / 0.59 MByte
TI(德州仪器)
14 页 / 1.12 MByte
TI(德州仪器)
10 页 / 0.32 MByte
TI(德州仪器)
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments### MOSFET 晶体管,Texas Instruments
TI(德州仪器)
CSD13306W 12V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件