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CSD17507Q5A
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CSD17507Q5A 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:PowerTDFN-8
描述:30V N 通道高侧 NexFET 功率 MOSFET，Vgs 为 20V
PDF文件:CSD17507Q5A 数据手册 (11 页)封装尺寸在6 页9 页
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焊盘图
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CSD17507Q5A 数据手册 (11 页)
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CSD17507Q5A 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PowerTDFN-8
通道数1 Channel
漏源极电阻0.009 Ω
极性N-Channel
功耗3 W
阈值电压1.6 V
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30 V
连续漏极电流(Ids)65.0 A
上升时间5.2 ns
输入电容值(Ciss)530pF @15V(Vds)
额定功率(Max)3 W
下降时间2.3 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3W (Ta)
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CSD17507Q5A 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度5.8 mm
宽度5 mm
高度1.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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CSD17507Q5A 数据手册

CSD17507Q5A 数据手册
TI（德州仪器）
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CSD17507Q5 数据手册

CSD17507Q5A 数据手册
TI（德州仪器）
30V N 通道高侧 NexFET 功率 MOSFET，Vgs 为 20V
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