| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | PICOSTAR-3 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 1400 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 12 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 3.6A |
| 上升时间 | 4 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 156pF @6V(Vds) |
| 下降时间 | 3 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
这款 63mΩ、12V N 沟道 FemtoFETMOSFET 经过了设计和优化，能够最大限度减小许多手持式和移动类应用的 尺寸。这项技术能够在替代标准小信号金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的同时大幅减小封装尺寸。
●.
●.
●RθJA = 90°C/W，这是一块厚度为 0.06 英寸 (1.52mm) 的环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 (6.45cm2)，2 盎司
●（厚度 0.071mm）铜焊盘上测得的典型值（覆铜面积最大时的典型值）。RθJA = 255°C/W（覆铜面积最小时的典型值）。脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%。
● 低导通电阻
● 超低 Qg 和 Qgd
● 高运行漏极电流
● 超小尺寸
● 0.73mm x 0.64mm
● 薄型
● 最大高度为 0.35mm
● 集成静电放电 (ESD) 保护二极管
● 额定值 > 3kV 人体模型 (HBM)
● 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
● 无铅且无卤素
● 符合 RoHS 环保标准
●## 应用范围
● 针对负载开关应用进行了 优化
● 针对通用开关应用进行了 优化
● 电池 应用
● 手持式和移动类 应用
●All trademarks are the property of their respective owners.
TI（德州仪器）
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TI（德州仪器）
12V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.6x0.7、76mΩ 3-PICOSTAR -55 to 150
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12V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.6x0.7、76mΩ 3-PICOSTAR -55 to 150
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