| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | PICOSTAR-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 180 mΩ |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 500 mW |
| 阈值电压 | 850 mV |
| 漏源极电压(Vds) | 12 V |
| 漏源击穿电压 | 12 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.1A |
| 上升时间 | 1.5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 200pF @6V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 500 mW |
| 下降时间 | 3.8 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 500mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 1 mm |
| 宽度 | 0.64 mm |
| 高度 | 0.35 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
此 140mΩ，12V N 通道 FemtoFET MOSFET 技术被设计且被优化，以最大限度地减少很多手持式和移动类应用中的封装尺寸。 这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时，替代标准的小信号 MOSFET。
● 低导通电阻
● 低 Qg和 Qgd
● 低阈值电压
● 超小型封装尺寸（0402 外壳尺寸）
● 1.0mm × 0.6mm
● 超薄
● 高度 0.35mm
● 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
● 额定值 > 4kV 人体放电模式 (HBM)
● 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)
● 无铅且无卤素
● 符合 RoHS 环保标准
●## 应用范围
● 针对负载开关应用进行了优化
● 针对通用开关应用进行了优化
● 单节电池应用
● 手持式和移动类应用
●All trademarks are the property of their respective owners.
TI（德州仪器）
13 页 / 0.58 MByte
TI（德州仪器）
80 页 / 0.64 MByte
TI（德州仪器）
12V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，CSD13381F4
TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS CSD13381F4T 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.1 A, 12 V, 0.14 ohm, 4.5 V, 850 mV
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