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IPB020N10N5

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IPB020N10N5 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:	Infineon（英飞凌）
封装:	TO-263-3
描述:	场效应管(MOSFET) IPB020N10N5 TO-263-3
PDF文件:	IPB020N10N5 数据手册 (11 页)
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

IPB020N10N5 数据手册 (11 页)

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IPB020N10N5 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
封装	TO-263-3
极性	N-CH
漏源极电压(Vds)	100 V
连续漏极电流(Ids)	120A
上升时间	26 ns
下降时间	29 ns

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IPB020N10N5 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tape & Reel (TR)
长度	10 mm
宽度	9.25 mm
高度	4.4 mm
工作温度	-55℃ ~ 175℃

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IPB020N10N5 符合标准

IPB020N10N5 海关信息

IPB020N10N5 数据手册

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