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CSD16409Q3
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CSD16409Q3 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:VSON-Clip-8
描述:N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
PDF文件:CSD16409Q3 数据手册 (11 页)封装尺寸在6 页9 页
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
CSD16409Q3 数据手册 (11 页)
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CSD16409Q3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装VSON-Clip-8
通道数1 Channel
针脚数8 Position
漏源极电阻6.2 mΩ
极性N-Channel
功耗2.6 W
阈值电压2 V
漏源极电压(Vds)25 V
连续漏极电流(Ids)60.0 A
上升时间10.6 ns
输入电容值(Ciss)800pF @12.5V(Vds)
额定功率(Max)2.6 W
下降时间3.4 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.6W (Ta)
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CSD16409Q3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.4 mm
宽度3.4 mm
高度1.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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CSD16409Q3 数据手册

CSD16409Q3 数据手册
TI（德州仪器）
11 页 / 0.19 MByte
CSD16409Q3 其他数据使用手册
TI（德州仪器）
12 页 / 0.41 MByte
CSD16409Q3 开发手册
TI（德州仪器）
7 页 / 0.58 MByte

CSD16409 数据手册

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TI（德州仪器）
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
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