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NTD20N06T4G
来自 AiPCBA

NTD20N06T4G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
分类:MOS管
封装:TO-252-3
描述:ON SEMICONDUCTOR  NTD20N06T4G  MOSFET Transistor, N Channel, 20 A, 60 V, 37.5 mohm, 10 V, 2.91 V 新
PDF文件:NTD20N06T4G 数据手册 (11 页)封装尺寸在9 页10 页
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NTD20N06T4G 数据手册 (11 页)
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NTD20N06T4G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
额定电压(DC)60.0 V
额定电流20.0 A
封装TO-252-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.0375 Ω
极性N-Channel
功耗60 W
阈值电压2.91 V
漏源极电压(Vds)60 V
漏源击穿电压60.0 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)20.0 A
上升时间60.5 ns
输入电容值(Ciss)1015pF @25V(Vds)
额定功率(Max)1.88 W
下降时间37.1 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)1.88 W
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NTD20N06T4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度10.29 mm
宽度6.22 mm
高度4.83 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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NTD20N06T4G 数据手册

NTD20N06T4G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
11 页 / 0.32 MByte
NTD20N06T4G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
9 页 / 0.22 MByte
NTD20N06T4G 产品设计图
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.03 MByte
NTD20N06T4G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.11 MByte
NTD20N06T4G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.02 MByte

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