类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 8 Pin |
封装 | 8-VSON-CLIP |
针脚数 | 8 Position |
极性 | N-Channel |
功耗 | 3.2 W |
阈值电压 | 1.5 V |
漏源极电压(Vds) | 25 V |
连续漏极电流(Ids) | 38A |
上升时间 | 30 ns |
输入电容值(Ciss) | 4100pF @12.5V(Vds) |
额定功率(Max) | 3.2 W |
下降时间 | 12.7 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 3.2W (Ta) |
类型 | 描述 |
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包装方式 | Tape & Reel (TR) |
材质 | Silicon |
长度 | 6.1 mm |
宽度 | 5.1 mm |
高度 | 1.05 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
此 NexFET 功率MOSFET已被设计成在功率转换应用中大大降低功率损失。
●顶视图
● 超低栅极电荷(Qg)和栅漏电荷(Qgd)
● 极低接通电阻
● 低热阻性
● 额定雪崩能量
● 无铅端子电镀
● 符合 RoHS 标准
● 无卤素
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25V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、SON5x6、1.8mΩ 8-VSON-CLIP -55 to 150
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