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FDS8672S
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FDS8672S 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:Fairchild（飞兆/仙童）
分类:MOS管
封装:SOIC-8
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8672S  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2.1 V
PDF文件:FDS8672S 数据手册 (7 页)
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FDS8672S 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装SOIC-8
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0038 Ω
极性N-Channel
功耗2.5 W
阈值电压2.1 V
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)18A
上升时间4 ns
输入电容值(Ciss)2670pF @15V(Vds)
额定功率(Max)1 W
下降时间3 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.5W (Ta)
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FDS8672S 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
高度1.5 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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FDS8672S 数据手册

FDS8672S 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
7 页 / 0.3 MByte
FDS8672S 其他数据使用手册
Fairchild（飞兆/仙童）
9 页 / 0.24 MByte
FDS8672S 产品手册
Fairchild（飞兆/仙童）
9 页 / 0.21 MByte

FDS8672 数据手册

FDS8672S 数据手册
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8672S  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2.1 V
FDS8672S 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2.1 V
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