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CSD17382F4T
来自 AiPCBA

CSD17382F4T 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:PICOSTAR-3
描述:TEXAS INSTRUMENTS  CSD17382F4T  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.3 A, 30 V, 0.054 ohm, 8 V, 900 mV 新
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CSD17382F4T 数据手册 (13 页)
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CSD17382F4T 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装PICOSTAR-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.054 Ω
极性N-Channel
功耗500 mW
阈值电压900 mV
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30 V
连续漏极电流(Ids)2.3A
上升时间111 ns
输入电容值(Ciss)347pF @15V(Vds)
下降时间270 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)55 ℃
耗散功率(Max)500mW (Ta)
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CSD17382F4T 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度1 mm
宽度0.64 mm
高度0.35 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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CSD17382F4T 数据手册

CSD17382F4T 数据手册
TI（德州仪器）
13 页 / 0.57 MByte
CSD17382F4T 其他数据使用手册
TI（德州仪器）
13 页 / 0.62 MByte
CSD17382F4T 产品修订记录
TI（德州仪器）
10 页 / 0.32 MByte

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