| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-264-3 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 1040 W |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 200A |
| 上升时间 | 225 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 23000pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 1040 W |
| 下降时间 | 27 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1040W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 100 V 200A（Tc） 1040W（Tc） TO-264（IXTK）
IXYS Semiconductor
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IXYS Semiconductor
IXYS SEMICONDUCTOR IXTK200N10P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 200 A, 100 V, 7.5 mohm, 15 V, 5 V
IXYS Semiconductor
IXTK 系列 单 N 沟道 100 V 11 mOhm 1040 W 功率 Mosfet - TO-264
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