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CSD17483F4T
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CSD17483F4T 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:TI（德州仪器）
分类:MOS管
封装:PICOSTAR-3
描述:TEXAS INSTRUMENTS  CSD17483F4T  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 30 V, 0.185 ohm, 8 V, 850 mV
PDF文件:CSD17483F4T 数据手册 (13 页)封装尺寸在8 页11 页
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焊盘图
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CSD17483F4T 数据手册 (13 页)
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CSD17483F4T 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装PICOSTAR-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.185 Ω
极性N-Channel
功耗500 mW
阈值电压850 mV
漏源极电压(Vds)30 V
连续漏极电流(Ids)1.5A
上升时间1.3 ns
输入电容值(Ciss)145pF @15V(Vds)
下降时间3.4 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)500 mW
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CSD17483F4T 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度1.04 mm
宽度0.64 mm
高度0.35 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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CSD17483F4T 数据手册

CSD17483F4T 数据手册
TI（德州仪器）
13 页 / 0.58 MByte
CSD17483F4T 其他数据使用手册
TI（德州仪器）
14 页 / 1.12 MByte
CSD17483F4T 产品修订记录
TI（德州仪器）
10 页 / 0.32 MByte

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TI（德州仪器）
TEXAS INSTRUMENTS  CSD17483F4T  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 30 V, 0.185 ohm, 8 V, 850 mV
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