| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 6 Pin |
| 额定电压(DC) | -20.0 V |
| 额定电流 | -500 mA |
| 封装 | SC-70-6 |
| 通道数 | 2 Channel |
| 漏源极电阻 | 780 mΩ |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 0.3 W |
| 输入电容 | 83.0 pF |
| 栅电荷 | 860 pC |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| 栅源击穿电压 | ±12.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 500 mA |
| 上升时间 | 12 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 83pF @10V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 300 mW |
| 下降时间 | 1 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 0.3 W |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 1.25 mm |
| 高度 | 1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| -12V 最大漏极电流IdDrain Current| -500mA/-0.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 1200mΩ@ VGS = -2.5V, ID = -0.4A 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.65~-1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| Dual P-Channel, Digital FET General Description These dual P-Channel logic level enhancement mode MOSFET are produced using Fairchild Semiconductor’s advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETS Applications • Battery management Features • Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits • Compact industry standard SC70-6 surface mount package 描述与应用| 双P沟道，数字FET 概述 这些双P沟道逻辑电平增强模式MOSFET采用飞兆半导体先进的功率沟槽进程，已特别是针对减少通态电阻。该设备已被作为一个替代双极数字晶体管和小信号MOSFET专为低电压应用 应用 •电池管理 特点 •非常低的水平栅极驱动要求可直接操作3V电路 •紧凑型工业标准SC70-6表面贴装封装
Fairchild（飞兆/仙童）
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Fairchild（飞兆/仙童）
FET，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Fairchild（飞兆/仙童）
MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor 双 Si P沟道 MOSFET FDG6318PZ, 500 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装
ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDG6318P, 500 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装
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