| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | VSONP-8 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 5.3 mΩ |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 2.5 W |
| 阈值电压 | 1.1 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 19A |
| 上升时间 | 31 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2310pF @15V(Vds) |
| 下降时间 | 4 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 2.8W (Ta), 53W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 3.15 mm |
| 宽度 | 3 mm |
| 高度 | 0.9 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
这款 30V，4.0mΩ，SON 3.3mm × 3.3mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中以最大程度降低电阻。
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●要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 50°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值
●。最大 RθJC = 3.0°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1%
● 低 Qg 和 Qgd
● 低热阻
● 雪崩额定值
● 无铅
● 符合 RoHS 环保标准
● 无卤素
● 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 封装
●## 应用范围
● 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
● 针对控制和同步 FET 应用进行了优化
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13 页 / 0.36 MByte
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N沟道 VDS=30V VGS=±20V ID=35A P=2.8W
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TEXAS INSTRUMENTS CSD17577Q3AT 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.4 V
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